[实用新型]一种芯片堆叠熔接辅助装置有效
| 申请号： | 201320046764.5 | 申请日： | 2013-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN203165866U | 公开（公告）日： | 2013-08-28 |
| 发明（设计）人： | 韩敏 | 申请（专利权）人： | 上海斐讯数据通信技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201616 上海市松*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及元件表面贴装技术领域，尤其涉及芯片堆叠熔接的辅助装置。本实用新型提供的一种芯片堆叠熔接辅助装置，包括方体材质，上底面或下底面面积分别大于四侧面任意一侧面积，方体材质在上底面开有至少一方形凹槽，凹槽的底部开有孔，凹槽底部高于所述下底面，凹槽的侧壁构成的水平方向上的孔径大于底部开孔的侧壁构成的水平方向上的孔径。本实用新型结构简单，有利于降低制造成本，有利于熔接工艺有效控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 堆叠 熔接 辅助 装置 | ||
【主权项】：
一种芯片堆叠熔接辅助装置，其特征在于，包括一方体材质，上底面或下底面面积分别大于四侧面任意一侧面积，所述方体材质在上底面开有至少一方形凹槽，所述凹槽的底部开孔，所述凹槽底部高于所述下底面，所述凹槽的侧壁构成的水平方向上的孔径大于所述底部开孔的侧壁构成的水平方向上的孔径。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海斐讯数据通信技术有限公司，未经上海斐讯数据通信技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201320046764.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
