[实用新型]低功耗晶振电路有效
申请号: | 201320050361.8 | 申请日: | 2013-01-30 |
公开(公告)号: | CN203027220U | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 彭伟娣;谢亮;张文杰;金湘亮 | 申请(专利权)人: | 湘潭芯力特电子科技有限公司 |
主分类号: | H03K3/012 | 分类号: | H03K3/012 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 411104 湖南省湘*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种低功耗晶振电路,包括晶振电路模块,在晶振电路模块中组成反相器的PMOS管Mp1和NMOS管Mn1的栅端串联电容C1,晶振电路模块通过一大电阻R2连接一电流镜模块,电流镜模块提供一个比高电源低一个PMOS管阈值的电压给PMOS管Mp1的栅端。在本实用新型低功耗晶振电路结构中,在组成反相器的两个晶体管的栅端加上串联电容,通过电流镜模块产生偏置电压,使PMOS管被一个PMOS管的阈值偏置,NMOS管被一个NMOS管的阈值偏置,因此反相器的启动电压低于PMOS管和NMOS管阈值之和、整体电路消耗的电流较小。 | ||
搜索关键词: | 功耗 电路 | ||
【主权项】:
一种低功耗晶振电路,包括晶振电路模块,其特征在于:在晶振电路模块中组成反相器的PMOS管Mp1和NMOS管Mn1的栅端串联电容C1,晶振电路模块通过一大电阻R2连接一电流镜模块,电流镜模块提供一个比高电源低一个PMOS管阈值的电压给PMOS管Mp1的栅端。
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