[实用新型]一种日夜两用型滤光片有效
申请号: | 201320076004.9 | 申请日: | 2013-02-19 |
公开(公告)号: | CN203164462U | 公开(公告)日: | 2013-08-28 |
发明(设计)人: | 奂微微;黄兴桥 | 申请(专利权)人: | 东莞五方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02B5/20 | 分类号: | G02B5/20;B32B9/04 |
代理公司: | 东莞市冠诚知识产权代理有限公司 44272 | 代理人: | 何恒韬 |
地址: | 523000 广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种日夜两用型滤光片,包括透明玻璃基板及透明玻璃基板上的51层膜,该51层膜由低折射率的二氧化硅SiO2膜层和高折射率的二氧化钛TiO2膜层多次交替堆叠组成。本实用新型在380-620nm透射波段与840-860nm透射波段,其平均透射率在98%以上,而在700-780nm截止波段与900-1100nm截止波段,其平均透过率小于1%;本实用新型能有效截除次峰,中心波长无温飘,膜层牢固度强,无色差均匀性好,不易出现次峰通带,不易产生光干扰问题;能广泛应用于数码像机、数码录像机、监控用摄像机、电脑摄像头、手机摄像、可视电话、电子玩具、红外感应等CCD或CMOS成像系统设备领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 日夜 两用 滤光 | ||
【主权项】:
一种日夜两用型滤光片,其特征在于:包括透明玻璃基板及透明玻璃基板上的51层膜,该51层膜由低折射率的二氧化硅SiO2膜层和高折射率的二氧化钛TiO2膜层多次交替堆叠组成,该51层膜从内至外依次为:第1层,SiO2膜层,厚度为108.5‑109nm;第2层,TiO2膜层,厚度为7.5‑8nm;第3层,SiO2膜层,厚度为36‑36.4nm;第4层,TiO2膜层,厚度为100.5‑101nm;第5层,SiO2膜层,厚度为158.5‑159nm;第6层,TiO2膜层,厚度为18.5‑19nm;第7层,SiO2膜层,厚度为5.6‑5.9nm;第8层,TiO2膜层,厚度为180‑180.4nm;第9层,SiO2膜层,厚度为48.6‑49nm;第10层,TiO2膜层,厚度为8‑8.4nm;第11层,SiO2膜层,厚度为74.5‑75nm;第12层,TiO2膜层,厚度为88‑88.4nm;第13层,SiO2膜层,厚度为136.5‑137nm;第14层,TiO2膜层,厚度为80.5‑81nm;第15层,SiO2膜层,厚度为142.5‑143nm;第16层,TiO2膜层,厚度为46.5‑46.8nm;第17层,SiO2膜层,厚度为15‑15.4nm;第18层,TiO2膜层,厚度为18‑18.4nm;第19层,SiO2膜层,厚度为122‑122.4nm;第20层,TiO2膜层,厚度为90‑90.4nm;第21层,SiO2膜层,厚度为158‑158.49nm;第22层,TiO2膜层,厚度为8‑8.4nm;第23层,SiO2膜层,厚度为165‑165.4nm;第24层,TiO2膜层,厚度为87‑87.4nm;第25层,SiO2膜层,厚度为135.5‑136nm;第26层,TiO2膜层,厚度为83.5‑84nm;第27层,SiO2膜层,厚度为138.5‑139nm;第28层,TiO2膜层,厚度为91.5‑92nm;第29层,SiO2膜层,厚度为165.5‑166nm;第30层,TiO2膜层,厚度为23.8‑24.2nm;第31层,SiO2膜层,厚度为15.5‑16nm;第32层,TiO2膜层,厚度为75.5‑76nm;第33层,SiO2膜层,厚度为13.7‑14.2nm;第34层,TiO2膜层,厚度为27.5‑27.8nm;第35层,SiO2膜层,厚度为178‑178.4nm;第36层,TiO2膜层,厚度为108.5‑109nm;第37层,SiO2膜层,厚度为177‑177.4nm;第38层,TiO2膜层,厚度为112‑112.4nm;第39层,SiO2膜层,厚度为177.5‑178nm;第40层,TiO2膜层,厚度为109‑109.4nm;第41层,SiO2膜层,厚度为158.5‑159nm;第42层,TiO2膜层,厚度为6‑6.4nm;第43层,SiO2膜层,厚度为13.5‑13.8nm;第44层,TiO2膜层,厚度为93‑93.4nm;第45层,SiO2膜层,厚度为16‑16.4nm;第46层,TiO2膜层,厚度为14.5‑15nm;第47层,SiO2膜层,厚度为167‑167.4nm第48层,TiO2膜层,厚度为11‑11.3nm;第49层,SiO2膜层,厚度为18.6‑19nm;第50层,TiO2膜层,厚度为100.5‑100.8nm;第51层,SiO2膜层,厚度为82.6‑83nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞五方光电科技有限公司,未经东莞五方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201320076004.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种晶体型保偏耦合器
- 下一篇:一种新型的透镜埋入型反光膜