[实用新型]采用多孔SOI硅硅键合的MEMS硅麦克风有效
| 申请号： | 201320082192.6 | 申请日： | 2013-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN203104765U | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 缪建民 | 申请（专利权）人： | 上海微联传感科技有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/00 | 分类号： | H04R19/00 |
| 代理公司： | 上海浦东良风专利代理有限责任公司 31113 | 代理人： | 陈志良 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型为一种采用多孔SOI硅硅键合的MEMS硅麦克风，包括多孔背极板硅基及位于所述多孔背极板硅基上方的单晶硅振膜，其特征在于：所述的多孔背极板硅基和单晶硅振膜作为麦克风电容的两极板，经过硅硅键合工艺键合成一体。多孔背极板硅基上设有背极板金属电极、声孔和背腔，单晶硅振膜上设有金属电极和小凸柱，振膜金属电极和背极板电极分别为麦克风电容两极板的输出信号引出端，用来与CMOS信号放大电路实现电连接；单晶硅振膜由氧化硅层支撑悬于多孔背极板硅基的上方，单晶硅振膜和多孔背极板硅基之间设有气隙，多孔背极板硅基、单晶硅振膜和气隙形成电容结构。本实用新型工艺简单，产品灵敏度高、一致性好且生产良率高。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 多孔 soi 硅硅键合 mems 麦克风 | ||
【主权项】：
一种采用多孔SOI硅硅键合的MEMS硅麦克风，包括多孔背极板硅基（1）及位于所述多孔背极板硅基上方的单晶硅振膜（2），其特征在于：所述的多孔背极板硅基（1）和单晶硅振膜（2）均导电良好，作为麦克风电容的两极板；多孔背极板硅基（1）上沉积有背极板多晶硅（7），背极板多晶硅（7）上沉积有背极板金属电极（6），背极板金属电极（6）经背极板多晶硅（7）和多孔背极板硅基（1）电连接；多孔背极板硅基（1）上设有声孔（3）和背腔（4），声孔（3）和背腔（4）相通；单晶硅振膜（2）上设有小凸柱（8），小凸柱（8）的材质为多晶硅和金属层，小凸柱（8）避免单晶硅振膜（2）和多孔背极板硅基（1）的吸合；单晶硅振膜（2）上沉积有振膜多晶硅（11），振膜多晶硅（11）上沉积有振膜金属电极（10），振膜金属电极（10）经振膜多晶硅（11）和单晶硅振膜（2）电连接；振膜金属电极（10）和背极板电极（6）均采用Al/Cu合金与TiN材质，分别为麦克风电容两极板的输出信号引出端，用来与CMOS信号放大电路实现电连接；单晶硅振膜（2）和多孔背极板硅基（1）经硅硅键合工艺键合成一体，单晶硅振膜（2）由氧化硅层（9）支撑悬于多孔背极板硅基（1）的上方，单晶硅振膜（2）和多孔背极板硅基（1）之间设有气隙（5），多孔背极板硅基（1）、单晶硅振膜（2）和气隙（5）形成电容结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海微联传感科技有限公司，未经上海微联传感科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201320082192.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
