[实用新型]层叠体和半导体装置有效
| 申请号： | 201320085513.8 | 申请日： | 2013-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN203826364U | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 本田一尊;永井朗;佐藤慎 | 申请（专利权）人： | 日立化成株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;於毓桢 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种层叠体和半导体装置。所述层叠体是在半导体晶片的主面上层压含焊剂的树脂薄膜而得到的层叠体，所述半导体晶片的该主面上具有被氧化膜被覆的连接端子，所述层叠体具备：由前述树脂薄膜形成的树脂组合物层；以及利用前述焊剂将前述氧化膜的至少一部分还原除去，从而使前述连接端子的至少一部分在前述树脂组合物层中露出的前述半导体晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 层叠 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种层叠体，其特征在于，其为在半导体晶片的主面上层压含焊剂的树脂薄膜而得到的层叠体，所述半导体晶片的该主面上具有被氧化膜被覆的连接端子，所述层叠体具备： 由所述树脂薄膜形成的树脂组合物层；以及 利用所述焊剂将所述氧化膜的至少一部分还原除去，从而使所述连接端子的至少一部分在所述树脂组合物层中露出的所述半导体晶片。
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