[实用新型]非易失性半导体存储装置有效
| 申请号： | 201320087331.4 | 申请日： | 2013-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN203205073U | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 樱井清史;二山拓也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘瑞东;陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本实用新型提供非易失性半导体存储装置，具备：存储单元阵列，其构成为排列有多个块，上述块构成为排列有NAND单位单元，上述NAND单位单元构成为串联有可电气改写的多个存储单元和选择晶体管；和行解码器，其构成为选择上述存储单元阵列的块，向该块供给各种工作所需要的电压。上述行解码器具备：多个第1传输晶体管，其在矩形的第1区域配置，与上述存储单元连接；和多个第2传输晶体管，其在上述第1区域的剩余区域即第2区域配置，与上述选择晶体管连接。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，具备：存储单元阵列，其构成为排列有多个块，上述块构成为排列有NAND单位单元，上述NAND单位单元构成为串联有可电气改写的多个存储单元和选择晶体管；和行解码器，其构成为选择上述存储单元阵列的块，向该块供给各种工作所需要的电压；上述行解码器具备：多个第1传输晶体管，其在矩形的第1区域配置，与上述存储单元连接；和多个第2传输晶体管，其在上述第1区域的剩余区域即第2区域配置，与上述选择晶体管连接。
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