[实用新型]半导体器件及显示装置有效
| 申请号： | 201320089341.1 | 申请日： | 2013-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN203232679U | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 谢文献;林崑宗 | 申请（专利权）人： | 天钰科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G09G3/32 | 分类号： | G09G3/32 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 徐丽昕 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体器件及显示装置。该半导体器件包括P型衬底、数字电路模块及模拟电路模块。该数字电路模块接收并处理数字信号，其包括深掺杂N阱、第一P型半导体元件、第一N型半导体元件及P阱，该深掺杂N阱设置于该P型衬底上，该第一P型半导体元件及P阱分别设置于该深掺杂N阱上，该第一N型半导体元件设置于该P阱上。该模拟电路模块接收该数字电路输出的数字信号并输出模拟信号，其包括第二P型半导体元件、第二N型半导体元件及N阱，该第二N型半导体元件及N阱分别设置于该P型衬底上，该第二P型半导体元件设置于该N阱上。该半导体器件及显示装置可靠度较高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 显示装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其包括P型衬底、数字电路模块及模拟电路模块，其特征在于：该数字电路模块接收并处理数字信号，该数字电路模块包括深掺杂N阱、第一P型半导体元件、第一N型半导体元件及P阱，该深掺杂N阱设置于该P型衬底上，该第一P型半导体元件及P阱分别设置于该深掺杂N阱上，该第一N型半导体元件设置于该P阱上，该模拟电路模块接收该数字电路输出的数字信号并输出模拟信号，该模拟电路模块包括第二P型半导体元件、第二N型半导体元件及N阱，该第二N型半导体元件及N阱分别设置于该P型衬底上，该第二P型半导体元件设置于该N阱上。
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