[实用新型]一种LED驱动电路有效
申请号: | 201320096921.3 | 申请日: | 2013-03-04 |
公开(公告)号: | CN203206528U | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 王钊 | 申请(专利权)人: | 无锡中星微电子有限公司 |
主分类号: | H05B37/02 | 分类号: | H05B37/02 |
代理公司: | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人: | 戴薇 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型提供一种LED驱动电路,其包括:电感L1、二极管D1、电容C1、功率开关、采样开关、电流采样电路和电流模控制电路,将电流采样电路和电流模控制电路设置于第一晶片中,将功率开关和采样开关设置于第二晶片中,第二晶片采用垂直沟槽栅工艺制造,第一晶片的制造工艺与第二晶片的不同。与现有技术相比,本实用新型中的LED驱动电路,将控制电路设置于一块晶片中,将功率开关和采样开关设置于另一块晶片中,并且将两个晶片封装在一起,采样垂直沟槽栅工艺制造功率开关和采样开关,这样可以实现成本更低、导通电阻更低且栅极电容更小的功率开关和采样开关。 | ||
搜索关键词: | 一种 led 驱动 电路 | ||
【主权项】:
一种LED驱动电路,其特征在于,其包括:电感L1、二极管D1、电容C1、功率开关、采样开关、电流采样电路和电流模控制电路,将电流采样电路和电流模控制电路设置于第一晶片中,将功率开关和采样开关设置于第二晶片中,第二晶片采用垂直沟槽栅工艺制造,第一晶片的制造工艺与第二晶片的不同。
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