[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 201320098574.8 | 申请日： | 2013-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN203085557U | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 鸟居克行 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 田勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体装置，该半导体装置具有：第一导电型的第一半导体区域；设置于第一半导体区域上的、与第一导电型相反的第二导电型的第二半导体区域；设置于第二半导体区域上的、第一导电型的第三半导体区域；从第三半导体区域开始贯通第二半导体区域并到达第一半导体区域的栅槽；以及通过设置于栅槽的底面以及侧壁上的栅绝缘膜进行设置的栅电极；其中，在栅电极中具有比栅槽的宽度小的孔隙。通过本实用新型，可以缓和传向槽栅电极以及栅绝缘膜的应力，减少栅氧化膜的破损。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具有：第一导电型的第一半导体区域（1）；设置于所述第一半导体区域（1）上的、与第一导电型相反的第二导电型的第二半导体区域（2）；设置于所述第二半导体区域（2）上的、第一导电型的第三半导体区域（3）；从所述第三半导体区域（3）开始贯通所述第二半导体区域（2）并到达所述第一半导体区域（1）的栅槽（4）；以及通过设置于所述栅槽（4）的底面以及侧壁上的栅绝缘膜（5）进行设置的栅电极（6）；其中，在所述栅电极（6）中具有比所述栅槽（4）的宽度小的孔隙（7）。
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