[实用新型]一种能提高高压LED制程良率的步阶型发光二极管有效
申请号: | 201320104173.9 | 申请日: | 2013-03-07 |
公开(公告)号: | CN203134800U | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 庄曜玮 | 申请(专利权)人: | 南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100083 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种能提高高压LED制程良率的步阶型发光二极管,涉及光电技术领域。本实用新型包括开槽后形成的多个高压LED。各高压LED包括衬底以及衬底上方依次由N型半导体层、发光层、P型半导体层和透明导电层组成的发光结构。在N型半导体层上的一端置有N型电极,透明导电层上、与N型电极相对的另一端置有P型电极。所述各高压LED之间采用串并联连结桥连接,所述连接桥底面设有钝化层。其结构特点是,所述N型半导体层的两侧面位置与钝化层的接触面为步阶式沟槽结构,连结桥的外轮廓和钝化层的外轮廓相同也为相适配的步阶式沟槽结构。本实用新型能有效减少串并联LED之间绝缘层和金属层的断层现象,显著提高HVLED的制程良率。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 高压 led 制程良率 步阶型 发光二极管 | ||
【主权项】:
一种能提高高压LED制程良率的步阶型发光二极管,它包括开槽后形成的多个高压LED,各高压LED包括衬底(1)以及衬底(1)上方依次由N型半导体层(2)、发光层(3)、P型半导体层(4)和透明导电层(5)组成的发光结构,在N型半导体层(2)上的一端置有N型电极(6),透明导电层(5)上、与N型电极(6)相对的另一端置有P型电极(9),所述各高压LED之间采用串并联连结桥(7)连接,所述连接桥(7)底面设有钝化层(8),其特征在于,所述N型半导体层(2)的两侧面位置与钝化层(8)的接触面为步阶式沟槽结构,连结桥(7)的外轮廓和钝化层(8)的外轮廓相同,也为相适配的步阶式沟槽结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司,未经南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201320104173.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:设有安装结构的太阳能电池组件
- 下一篇:半导体外延片真空夹持装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的