[实用新型]一种能提高高压LED制程良率的步阶型发光二极管有效

专利信息
申请号: 201320104173.9 申请日: 2013-03-07
公开(公告)号: CN203134800U 公开(公告)日: 2013-08-14
发明(设计)人: 庄曜玮 申请(专利权)人: 南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15;H01L33/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100083 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种能提高高压LED制程良率的步阶型发光二极管,涉及光电技术领域。本实用新型包括开槽后形成的多个高压LED。各高压LED包括衬底以及衬底上方依次由N型半导体层、发光层、P型半导体层和透明导电层组成的发光结构。在N型半导体层上的一端置有N型电极,透明导电层上、与N型电极相对的另一端置有P型电极。所述各高压LED之间采用串并联连结桥连接,所述连接桥底面设有钝化层。其结构特点是,所述N型半导体层的两侧面位置与钝化层的接触面为步阶式沟槽结构,连结桥的外轮廓和钝化层的外轮廓相同也为相适配的步阶式沟槽结构。本实用新型能有效减少串并联LED之间绝缘层和金属层的断层现象,显著提高HVLED的制程良率。
搜索关键词: 一种 提高 高压 led 制程良率 步阶型 发光二极管
【主权项】:
一种能提高高压LED制程良率的步阶型发光二极管,它包括开槽后形成的多个高压LED,各高压LED包括衬底(1)以及衬底(1)上方依次由N型半导体层(2)、发光层(3)、P型半导体层(4)和透明导电层(5)组成的发光结构,在N型半导体层(2)上的一端置有N型电极(6),透明导电层(5)上、与N型电极(6)相对的另一端置有P型电极(9),所述各高压LED之间采用串并联连结桥(7)连接,所述连接桥(7)底面设有钝化层(8),其特征在于,所述N型半导体层(2)的两侧面位置与钝化层(8)的接触面为步阶式沟槽结构,连结桥(7)的外轮廓和钝化层(8)的外轮廓相同,也为相适配的步阶式沟槽结构。
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