[实用新型]高方向性超强耦合器有效
申请号: | 201320108566.7 | 申请日: | 2013-03-11 |
公开(公告)号: | CN203085732U | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 王清源;谭宜成;张运波 | 申请(专利权)人: | 成都赛纳赛德科技有限公司 |
主分类号: | H01P5/18 | 分类号: | H01P5/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型公布了高方向性超强耦合器,包括主波导和副波导,还包括连通主波导和副波导的耦合孔,主波导的两端分别为输入端口和隔离端口A,副波导的两端分别为输出端口和隔离端口B。本实用新型具有结构简单紧凑、工作频带宽、插入损耗低、加工调试成本低等特点,克服了由于波导跨接、交叉需要立体的复杂结构而造成交叉处体积增大、加工精度降低等一系列问题,提供了一种在一个平面上即可实现波导跨接、交叉传输的超级耦合器。 | ||
搜索关键词: | 方向性 超强 耦合器 | ||
【主权项】:
高方向性超强耦合器,其特征在于,包括主波导(5)和副波导(6),还包括连通主波导(5)和副波导(6)的耦合孔(7),主波导(5)的两端分别为输入端口(1)和隔离端口A(2),副波导(6)的两端分别为输出端口(3)和隔离端口B(4),联通主波导(5)和副波导(6)的耦合孔(7)的宽度为X,每个耦合孔的高度为Y,相邻两耦合孔中心点的距离为Z,所述主波导(5)和副波导(6)都为圆形空波导,X小于或等于高方向性超强耦合器工作频带中心频率时的波长,Y小于主波导(5)或副波导(6)的最大高度,即Y小于圆形空波导的直径,Z小于高方向性超强耦合器工作频带中心频率时波长的二分之三倍。
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