[实用新型]一种高亮度GaN基绿光LED中的外延结构有效
| 申请号： | 201320113988.3 | 申请日： | 2013-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN203192834U | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 李盼盼;李鸿渐;李志聪;孙一军;王国宏 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种高亮度GaN基绿光LED中的外延结构，涉及GaN基绿光LED的外延生长技术领域。包括在衬底上依次生长的GaN成核层、非掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源层、p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN层和InGaN电流隧穿层，其特点是：在InGaN/GaN多量子阱有源层和p型AlGaN电子阻挡层之间生长Al(In)GaN/GaN超晶格插入层。本实用新型可有效降低p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN生长过程中Mg向MQWs扩散，提高多量子阱中的非辐射复合效率，降低p型AlGaN电子阻挡层和多量子阱晶格失配造成的引力场导致的空穴注入不足的现象，进而有效提高发光，特别是InGaN绿光LED。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 亮度 gan 基绿光 led 中的 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种高亮度GaN基绿光LED中的外延结构，包括在衬底上依次生长的GaN成核层、非掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源层、p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN层和InGaN 电流隧穿层，其特征在于在所述InGaN/GaN多量子阱有源层和p型AlGaN电子阻挡层之间生长Al(In)GaN/GaN超晶格插入层。
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