[实用新型]一种半导体器件有效
| 申请号： | 201320118001.7 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN203250744U | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | R.西米尼克;M.菲莱迈耶 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/08;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马永利;李浩 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种半导体器件,该器件包括:半导体本体，包括:漏极区;至少两个沟槽和沟槽之间的台面区，其中，台面区包括上部分和下部分；下部分中的具有第一导电类型的漂移区；在所述上部分中的具有第一导电类型的源极区和形成在源极区与漂移区之间的具有与第一导电类型互补的第二导电类型的本体区，其中在所述本体区中将形成沟道；延伸穿过源极区并进入到本体区的接触孔,其中，接触孔被非对称地放置在沟槽之间；在本体区中形成的具有第二导电类型的重掺杂区,其中重掺杂区在所述接触孔的一侧比在另一侧更加邻近所述沟槽，以使得在所述接触孔的所述一侧的沟道具有升高的阈值电压而在所述另一侧的沟道仍是起作用的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件, 其特征在于, 所述器件包括:半导体本体，包括 漏极区(305); 至少两个沟槽(335)和所述沟槽之间的台面区，其中，所述台面区包括上部分和下部分; 所述下部分中的具有第一导电类型的漂移区(310); 在所述上部分中的具有第一导电类型的源极区(320)和形成在所述源极区与所述漂移区之间的具有与所述第一导电类型互补的第二导电类型的本体区(360)，其中在所述本体区中将形成沟道; 延伸穿过所述源极区并进入到所述本体区的接触孔(330), 其中，接触孔被非对称地放置在所述沟槽之间;以及 在所述本体区中形成的具有第二导电类型的重掺杂区(315), 其中所述重掺杂区在所述接触孔的一侧比在另一侧更加邻近所述沟槽，以使得在所述接触孔的所述一侧的沟道具有升高的阈值电压而在所述另一侧的沟道仍是起作用的。
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