[实用新型]一种存储阵列及存储器有效
| 申请号： | 201320126248.3 | 申请日： | 2013-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN203150546U | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 俞冰 | 申请（专利权）人： | 西安华芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 陈广民 |
| 地址： | 710055 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种存储阵列，以及含有该存储阵列的存储器，包括正常存储阵列和特殊存储阵列，所述特殊存储阵列设置在正常存储阵列的两侧，其特征在于：所述特殊存储阵列包括位线，所述位线为折叠的位线，所述折叠的位线的两端分别接有存储单元。本实用新型提供了一种可以省去相应的控制电路和熔丝结构，节省测试时间和芯片面积的存储阵列及存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 阵列 存储器 | ||
【主权项】：
一种存储阵列，包括位线，其特征在于：所述位线为折叠的位线，所述折叠的位线的两端分别接有存储单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
