[实用新型]一种新型金属基碳纳米管场发射冷阴极有效
| 申请号： | 201320127954.X | 申请日： | 2013-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN203134742U | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 麻华丽;李亚宁;任远;陈战胜;茹意;侯海兴;田硕;曾凡光 | 申请（专利权）人： | 郑州航空工业管理学院 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人： | 刘建芳;崔卫琴 |
| 地址： | 450000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种新型碳纳米管场发射冷阴极，包括金属基底，金属基底表面有立体微结构阵列，所述的金属基底的立体微结构阵列上有碳纳米管薄膜层，新型碳纳米管场发射冷阴极可以实现比现有碳纳米管场发射冷阴极更高的电流发射能力和发射稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 金属 纳米 发射 阴极 | ||
【主权项】：
一种新型碳纳米管场发射冷阴极，其特征在于：包括金属基底，金属基底表面有立体微结构阵列，所述的金属基底的立体微结构阵列上有碳纳米管薄膜层。
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