[实用新型]一种低成本的单一多晶架构且没有轻掺杂区域的非挥发性记忆体有效
| 申请号： | 201320140854.0 | 申请日： | 2013-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN203415578U | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 方英娇;方明 | 申请（专利权）人： | 无锡来燕微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区长江路21*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种低成本的单一多晶架构且没有轻掺杂区域的非挥发性记忆体，包括半导体基板；所述半导体基板内的上部设有若干用于存储的记忆体细胞（200），所述记忆体细胞（200）中没有深井,所述记忆体细胞（200）包括没有轻掺杂区域的PMOS晶体管（210）和控制电容（220）；本实用新型结构紧凑，能与CMOS工艺兼容，降低芯片成本，提高存储的安全可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低成本 单一 多晶 架构 没有 掺杂 区域 挥发性 记忆体 | ||
【主权项】：
一种低成本的单一多晶架构且没有轻掺杂区域的非挥发性记忆体，包括半导体基板；其特征是：所述半导体基板内的上部设有若干用于存储的记忆体细胞（200），所述记忆体细胞（200）中没有深井, 所述记忆体细胞（200）包括没有轻掺杂区域的PMOS晶体管（210）和控制电容（220）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
