[实用新型]一种汽车模组中反向GPP高压二极管芯片有效
申请号: | 201320153336.2 | 申请日: | 2013-03-28 |
公开(公告)号: | CN203150557U | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
发明(设计)人: | 盛锋;李晖 | 申请(专利权)人: | 上海瞬雷电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/861 | 分类号: | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329;H01L21/228 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201800 上海市嘉*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种汽车模组中反向GPP高压二极管芯片,该反向GPP高压二极管芯片结构为P++-P+-N-N+型;反向GPP高压二极管芯的正面截层结构依次为腐蚀沟槽,钝化玻璃,金属层;反向GPP高压二极管芯的剖面截层结构结构依次为腐蚀沟槽,钝化玻璃,金属层,N+区,基区N,P+区,高浓度P++区。该实用新型改善轴向二极管对管漏电大的缺陷,同时避免GPP对管中反向二极管焊接时对玻璃钝化保护的损伤,并增加焊接的有效面积,增强对管整体散热功能。同时使用N型衬底片代替P型衬底片,并在N+面腐蚀深沟槽制作反向GPP高压二极管,这种汽车模组中反向GPP高压二极管的实用新型填补了国内汽车模组技术领域的空白。 | ||
搜索关键词: | 一种 汽车 模组 反向 gpp 高压 二极管 芯片 | ||
【主权项】:
一种汽车模组中反向GPP高压二极管芯片,其特征在于,该反向GPP高压二极管芯片结构为P++‑P+‑N‑N+型;反向GPP高压二极管芯的正面截层结构依次为腐蚀沟槽,钝化玻璃,金属层;反向GPP高压二极管芯的剖面截层结构结构依次为腐蚀沟槽,钝化玻璃,金属层,N+区,基区N,P+区,高浓度P++区。
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