[实用新型]用于变频器内部IGBT失效保护结构有效
| 申请号： | 201320153791.2 | 申请日： | 2013-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN203261241U | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 刘国鹰 | 申请（专利权）人： | 刘国鹰 |
| 主分类号： | H02M5/00 | 分类号： | H02M5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201103 上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及用于变频器内部IGBT失效保护结构，包括电路基板，其特征在于，在所述电路基板上设有容纳IGBT本体且形状与IGBT本体相应的容腔；所述容腔由固定在所述电路基板上的框形结构阻隔框组成，所述阻隔框采用绝缘且耐高温材质，能够有效的防止IGBT本体因失效而损坏所述电路基板上的其他元件。有益效果是：结构简单，能够有效的防止IGBT本体因失效而造成电路基板的损坏；同时组装方便，结构稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 变频器 内部 igbt 失效 保护 结构 | ||
【主权项】：
用于变频器内部IGBT失效保护结构，包括电路基板，其特征在于，在所述电路基板上设有容纳IGBT本体且形状与IGBT本体相应的容腔；所述容腔由固定在所述电路基板上的框形结构阻隔框组成。
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