[实用新型]集成整流器和半导体集成电路有效
| 申请号： | 201320156168.2 | 申请日： | 2013-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN203232870U | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 李照华;王乐康;胡乔;林道明;赵春波;陈绪坤 | 申请（专利权）人： | 深圳市明微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/04;H05B33/08 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型适用于半导体技术领域，提供了一种配设于具有P型衬底的半导体集成电路中的集成整流器，该集成整流器结构为：设置一P型衬底，并在所述P型衬底上形成两个第一P+区；在所述P型衬底上扩散形成两个相离的N阱，并在所述两个N阱上各自形成第一N+区；在所述两个N阱中各自扩散形成P阱，并在两个所述P阱上各自形成至少一个第二P+区；在所述两个P阱中各自注入形成一个N型掺杂区，并在所述两个N型掺杂区上各自形成第二N+区，使得应用在内部集成了原本为分立元件的集成整流器的半导体集成电路，可简化外围电路的布局，减小PCB的体积，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 整流器 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
一种集成整流器，配设于具有P型衬底的半导体集成电路中，其特征在于，所述集成整流器包括： 两个第一P+区，配设于所述P型衬底； 两个相离的配设于所述P型衬底的N阱，所述两个N阱各自配设有第一N+区； 两个各自配设于所述两个N阱的P阱，所述两个P阱各自配设有至少一个第二P+区； 两个各自配设于所述两个P阱的N型掺杂区，所述两个N型掺杂区各自配设有第二N+区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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