[实用新型]一种高频低功率MOSFET的驱动及保护电路

摘要

本实用新型公开了一种高频低功率MOSFET的驱动及保护电路，特别涉及一种利用电荷泵原理来实现负压驱动和定时关断的MOSFET驱动及保护电路。该电路包括放电电路、充电电路、变压器T和MOSFET管Q，所述的放电电路由放电电阻Rd组成；所述的充电电路由隔直电容C、稳压二极管D和限流电阻Rs组成；所述的变压器T的原边非同名端连接MOSFET的漏极D；所述的MOSFET的源极S接地。微处理器PWM信号的输出点经限流电阻Rs和隔直电容C与MOSFET的栅极G相连。该电路结构简单、成本低廉，可以实现MOSFET的负压驱动以及定时关断，提高了驱动电路的抗干扰性，同时防止微处理器在出现故障时，变压器初级绕组长时间开通，有效避免了初级绕组电流过大引起器件损害。

主权项

一种高频低功率MOSFET的驱动及保护电路，其特征在于，包括放电电路、充电电路、变压器T和MOSFET管Q，所述的充电电路包括限流电阻Rs、稳压二极管D和隔直电容C，限流电阻Rs接在隔直电容C的正极与微处理器PWM输出点的两端，隔直电容C的正极与限流电阻Rs相连，隔直电容C的负极与MOSFET管Q的栅极G相连，稳压二极管D的负极与隔直电容C的负极相连，稳压二极管D的正极与MOSFET管Q的源极S相连；所述的放电电路包括放电电阻Rd，放电电阻Rd接在隔直电容C的负极和MOSFET管Q源极S的两端；所述变压器T的原边非同名端接MOSFET管Q的漏极；所述MOSFET管Q的源极S接地。