[实用新型]一种新型脉冲电场处理室有效
申请号: | 201320169912.2 | 申请日: | 2013-04-03 |
公开(公告)号: | CN203207135U | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 蒲洪彬;曾新安;孙大文;王启军 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | A23L3/36 | 分类号: | A23L3/36 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 蔡茂略 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种新型脉冲电场处理室,包括处理室上模,处理室,上电极,下电极,处理室下模和半导体冷却装置;处理室上模和处理室下模的内部都具有从中心向两端的三级阶梯凹槽结构;处理室上模与处理室下模的中心都设有水道,水道两侧开有半导体冷却装置安装孔;处理室的上下侧边设有开槽,上电极本体和下电极本体从该开槽伸入;多个半导体冷却装置分成两组,分别嵌入处理室上模和处理室下模的半导体冷却装置安装孔中,与上电极本体接触一侧的处理室中设有密封圈。本实用新型解决了现有新型脉冲电场处理室直接冷却水冷却方法模块性差、冷却效率低和实时性差等间题,具有脉冲电场处理与温控一体化、使用方便和加热效应控制显著等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 脉冲 电场 处理 | ||
【主权项】:
一种新型脉冲电场处理室,其特征在于包括处理室上模,密封圈,处理室,上电极,下电极,处理室下模和半导体冷却装置;处理室上模和处理室下模的内部都具有从中心向两端的三级阶梯凹槽结构;处理室上模与处理室下模的中心都设有水道,水道两侧开有半导体冷却装置安装孔;处理室内部上下端都设有凹槽,上下凹槽通过中间细孔连接;处理室的上下侧边设有开槽,上电极本体和下电极本体从该开槽伸入;多个半导体冷却装置分成两组,分别嵌入处理室上模和处理室下模的半导体冷却装置安装孔中,插到处理室与上电极或下电极之间的位置;与上电极本体接触一侧的处理室中设有密封圈;所述半导体冷却装置包括进水部,出水部,冷却外套,环半导体冷却组件,环温度传感器,底半导体冷却组件和冷却外套端盖;进水部的进水腔,出水部的出水腔和冷却外套都为方形空腔结构,进水腔位于出水腔内,出水腔位于冷却外套内;进水腔上端和下端分别设有进水腔端盖和进水腔分流底,进水腔分流底设有通孔;出水腔上支撑环和出水腔下支撑环间隔地套装在进水腔外表面与出水腔内表面之间;出水腔上支撑环和出水腔下支撑环都设有通孔;底半导体冷却组件和环半导体冷却组件都由TEC101705半导体制冷片组成,底半导体冷却组件和环半导体冷却组件都分别与电源连接;底半导体冷却组件通过散热胶固定在出水部底部,环半导体冷却组件的第一环半导体冷却组件、第二环半导体冷却组件、第三环半导体冷却组件和第四环半导体冷却组件分别固定在出水部与冷却外套之间的四个面上;环温度传感器由四个温度传感器组成,分别间隔设置在第一环半导体冷却组件,第二环半导体冷却组件,第三环半导体冷却组件,第四环半导体冷却组件的下端;控制系统分别与环半导体冷却组件、环温度传感器、底半导体冷却组件连接。
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