[实用新型]一种磁控溅射靶罩有效
| 申请号： | 201320172332.9 | 申请日： | 2013-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN203187747U | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 孟彬;孔明;刘肖肖;徐定能 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种磁控溅射靶罩，属于高真空磁控溅射镀膜领域。在磁控溅射靶上安装有可调节高度的磁控溅射靶罩，磁控溅射靶罩的上端开口，开口端对准沉积基片。磁控溅射靶和沉积基片放置在溅射室内，溅射室上有可以观察溅射情况的观察窗。磁控溅射靶罩通过螺纹与磁控溅射靶连接，磁控溅射靶罩的上端与沉积基片始终保持1～2mm的距离，以便观察溅射时能否起辉。该靶材罩能够将靶材和基片之间的空间区域封闭起来，并有效阻断沉积粒子向溅射室内壁和观察窗的沉积，降低溅射室和观察窗的污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁控溅射 | ||
【主权项】：
一种磁控溅射靶罩，其特征在于：在磁控溅射靶（4）上安装有可调节高度的磁控溅射靶罩（2），磁控溅射靶罩（2）的上端开口，开口端对准沉积基片（1）。
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