[实用新型]NMOS管栅电压电平移位电路有效
| 申请号： | 201320182339.9 | 申请日： | 2013-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN203166864U | 公开（公告）日： | 2013-08-28 |
| 发明（设计）人： | 刘立峰;芮立国 | 申请（专利权）人： | 成都瑞途电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种NMOS管栅电压电平移位电路，包括第一二极管、第二二极管、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管和第七MOS管，所述第三MOS管的源极为电压输入端，所述第三MOS管的栅极分别与所述第五MOS管的栅极和所述第四MOS管的栅极连接，所述第三MOS管的漏极分别与所述第四MOS管的漏极和所述第六MOS管的栅极连接，所述第四MOS管的源极分别与所述第五MOS管的源极、所述第六MOS管的源极和所述第七MOS管的源极连接后接地，所述第五MOS管的漏极分别与所述第一MOS管的漏极和所述第二MOS管的栅极连接，本实用新型NMOS管栅电压电平移位电路的结构简单、可靠性高、并且低电平控制信号驱动能力强。 | ||
| 搜索关键词： | nmos 电压 电平 移位 电路 | ||
【主权项】：
一种NMOS管栅电压电平移位电路，其特征在于：包括第一二极管、第二二极管、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管和第七MOS管，所述第三MOS管的源极为电压输入端，所述第三MOS管的栅极分别与所述第五MOS管的栅极和所述第四MOS管的栅极连接，所述第三MOS管的漏极分别与所述第四MOS管的漏极和所述第六MOS管的栅极连接，所述第四MOS管的源极分别与所述第五MOS管的源极、所述第六MOS管的源极和所述第七MOS管的源极连接后接地，所述第五MOS管的漏极分别与所述第一MOS管的漏极和所述第二MOS管的栅极连接，所述第六MOS管的漏极分别与所述第七MOS管的栅极、所述第一MOS管的栅极和所述第二MOS管的漏极连接，所述第一MOS管的源极与所述第一二极管的正极连接，所述第一二极管的负极与所述第二二极管的负极连接，所述第二二极管的正极与所述第二MOS管的源极连接，所述第七MOS管的漏极为电压输出端。
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