[实用新型]离子束发生腔室及离子注入机有效

专利信息
申请号: 201320188406.8 申请日: 2013-04-15
公开(公告)号: CN203218218U 公开(公告)日: 2013-09-25
发明(设计)人: 单易飞;邬璐磊 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 100176 北京市大兴区*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型公开了一种离子束发生腔室及离子注入机,所述离子注入机包括离子束发生腔室,所述离子束发生腔室包括一离子束发生腔室。所述离子束发生腔室,包括腔室底板、腔室侧板和腔室顶板,所述腔室底板、腔室侧板和腔室顶板围成所述腔室,所述离子束发生腔室还包括若干收集槽,所述若干收集槽设置于所述腔室侧板的内壁。通过在腔室侧板增设收集槽,收集槽可以将薄膜脱落物收集到其中,从而防止薄膜脱落物污染晶圆,进而提高产品良率。
搜索关键词: 离子束 发生 离子 注入
【主权项】:
一种离子束发生腔室,包括腔室底板、腔室侧板和腔室顶板,所述腔室底板、腔室侧板和腔室顶板围成所述腔室,其特征在于,还包括若干收集槽,所述若干收集槽设置于所述腔室侧板的内壁。
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