[实用新型]离子束发生腔室及离子注入机有效
申请号: | 201320188406.8 | 申请日: | 2013-04-15 |
公开(公告)号: | CN203218218U | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 单易飞;邬璐磊 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种离子束发生腔室及离子注入机,所述离子注入机包括离子束发生腔室,所述离子束发生腔室包括一离子束发生腔室。所述离子束发生腔室,包括腔室底板、腔室侧板和腔室顶板,所述腔室底板、腔室侧板和腔室顶板围成所述腔室,所述离子束发生腔室还包括若干收集槽,所述若干收集槽设置于所述腔室侧板的内壁。通过在腔室侧板增设收集槽,收集槽可以将薄膜脱落物收集到其中,从而防止薄膜脱落物污染晶圆,进而提高产品良率。 | ||
搜索关键词: | 离子束 发生 离子 注入 | ||
【主权项】:
一种离子束发生腔室,包括腔室底板、腔室侧板和腔室顶板,所述腔室底板、腔室侧板和腔室顶板围成所述腔室,其特征在于,还包括若干收集槽,所述若干收集槽设置于所述腔室侧板的内壁。
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