[实用新型]一种具有散射结构的发光二极管及照明系统有效
申请号: | 201320199874.5 | 申请日: | 2013-04-19 |
公开(公告)号: | CN203250787U | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 蒙成;吴俊毅;陶青山;吴超瑜;蔡文必 | 申请(专利权)人: | 天津三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/58 | 分类号: | H01L33/58;H01L33/60 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300384 天津市*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种具有散射结构的发光二极管及照明系统,至少包括:衬底;外延层,位于所述衬底上,其中外延层包含P型层、发光区和N型层;P电极,位于P型层之上;其特征在于:一散射结构形成于所述P电极与所述外延层之间,由粗化透光层和第一反射层构成,其几何尺寸在垂直方向上不大于P电极的尺寸,其中所述粗化透光层与外延层接触的下表面呈粗化状,所述粗化透光层与所述第一反射层接触的上表面呈平整状。其通过在LED的外延层与P电极之间增设粗化透光层和反射层,形成散射结构,可以有效地取出发光层发出的光线,减少P电极的吸光现象,从而增加出光效率。所述的一种具有散射结构的发光二极管可以应用于照明系统。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 散射 结构 发光二极管 照明 系统 | ||
【主权项】:
一种具有散射结构的发光二极管,包括:衬底;外延层,位于所述衬底上,其中外延层从上至下依次包含第一型半导体层、发光区和第二型半导体层;第一电极,位于第一型半导体层之上;其特征在于:由粗化透光层和第一反射层构成的散射结构形成于所述第一电极与所述外延层之间,其几何尺寸在垂直方向上不大于第一电极的尺寸,其中所述粗化透光层与外延层接触的下表面呈粗化状,所述粗化透光层与第一反射层接触的上表面呈平整状。
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