[实用新型]一种DRAM双芯片堆叠封装结构有效

专利信息
申请号: 201320208112.7 申请日: 2013-04-23
公开(公告)号: CN203277377U 公开(公告)日: 2013-11-06
发明(设计)人: 户俊华;刘昭麟;栗振超;孟新玲 申请(专利权)人: 山东华芯半导体有限公司
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L23/492
代理公司: 济南泉城专利商标事务所 37218 代理人: 丁修亭
地址: 250101 山东省济南市高新*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 实用新型公开了一种DRAM双芯片堆叠封装结构,包括第一芯片、第二芯片和设有基板电路的基板,所述第一芯片贴装在所述基板预定位置,且该第一芯片的有源面为贴装面的相对面;通过键合线与所述基板电气连接的中介基板的第一面与所述第一芯片电气连接,而中介基板上与第一面相对的第二面则与所述第二芯片的有源面电气连接。本实用新型使用的键合线较少。
搜索关键词: 一种 dram 芯片 堆叠 封装 结构
【主权项】:
一种DRAM双芯片堆叠封装结构,包括第一芯片(12a)、第二芯片(11a)和设有基板电路的基板(16a),其特征在于,所述第一芯片(12a)贴装在所述基板(16a)预定位置,且该第一芯片(12a)的有源面为贴装面的相对面;通过键合线与所述基板(16a)电气连接的中介基板(13a)的第一面与所述第一芯片(12a)电气连接,而中介基板(13a)上与第一面相对的第二面则与所述第二芯片(11a)的有源面电气连接。
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