[实用新型]一种硅太阳能电池有效
申请号: | 201320228675.2 | 申请日: | 2013-04-28 |
公开(公告)号: | CN203225256U | 公开(公告)日: | 2013-10-02 |
发明(设计)人: | 夏金才;周体;肖剑峰;黄志林 | 申请(专利权)人: | 日地太阳能电力股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人: | 周珏 |
地址: | 315040 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种硅太阳能电池,包括硅片,硅片的正面沉积有一层氮化硅膜,氮化硅膜上印刷有正面栅状金属电极,特点是正面栅状金属电极由五条主栅线和奇数条与主栅线相垂直的细栅线组成,主栅线与细栅线相互导通;优点是这种结构的正面栅状金属电极能促使正面电极更好地完全收集面积较大的硅太阳能电池中的电流,降低串联电阻,增加电性能的输出,且五条主栅线的设置缩短了主栅线与细栅线之间的传输距离,使得电能在硅太阳能电池中传输损耗减少,最终都提高了硅太阳能电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种硅太阳能电池,包括硅片,所述的硅片的正面沉积有一层氮化硅膜,所述的氮化硅膜上印刷有正面栅状金属电极,其特征在于所述的正面栅状金属电极由五条主栅线和奇数条细栅线组成,所述的主栅线与所述的细栅线相互垂直并导通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的