[实用新型]控制半导体封装中的翘曲的半导体器件有效
| 申请号： | 201320231481.8 | 申请日： | 2013-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN203312276U | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 崔大植;梁正忍;朴相美;权元一;朴利洙 | 申请（专利权）人： | 新科金朋有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/29;H01L23/367;H01L21/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐红燕;刘春元 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 公开控制半导体封装中的翘曲的半导体器件。一种半导体器件具有衬底。在衬底的表面之上形成绝缘层。在衬底的表面之上安装半导体管芯。在半导体管芯周围的绝缘层中形成沟道。在半导体管芯与衬底之间和沟道中沉积底部填充材料。在半导体管芯之上安装散热器，散热器被热连接到衬底。在半导体管芯之上形成热界面材料。底部填充材料被沿着半导体管芯的第一边缘且沿着与第一边缘相对的半导体管芯的第二边缘沉积在半导体管芯与衬底之间。沟道部分地延伸通过在衬底之上形成的绝缘层，绝缘层保持沟道的占位空间内的衬底之上的覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 半导体 封装 中的 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于包括：衬底；绝缘层，在衬底的表面之上形成；半导体管芯，设置在衬底的表面之上；沟道，在半导体管芯周围的绝缘层中形成；底部填充材料，沉积在半导体管芯与衬底之间和沟道中；以及散热器，设置在半导体管芯之上，散热器被热连接到衬底。
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