[实用新型]一种用于半导体器件中钝化膜工艺的设备有效
| 申请号： | 201320231791.X | 申请日： | 2013-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN203192775U | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 黄赛琴;黄福仁;林吉申;林志雄;杨忠武;陈轮兴 | 申请（专利权）人： | 福建省安特半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 351100 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种用于半导体器件中钝化膜工艺的设备。所述的设备的高温反应室前端设有自动启闭装置；高温反应室前端与气体分配控制阀相连通，气体分配控制阀与气体源及程序控制器相连接，高温反应室的前部设有压力计、高温反应室外为设有三区温度控制器的高温加热炉，高温反应室的后部设有压力传感开关，高温反应室的后部与排气管道前部相连通，管道中设有排气管道阱，管道后部与阀相连，阀后部管道与机械泵相连，机械泵出口设有油过滤器，在阀与机械泵之间装一个变速马达带动的增压泵，变速马达与压力传感开关相连接，由压力传感开关控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体器件 钝化 工艺 设备 | ||
【主权项】：
一种用于半导体器件中钝化膜工艺的设备, 其特征在于,所述的设备设有高温反应室、自动启闭装置、压力计、压力传感开关、排气管道阱、气体分配控制阀以及高温加热炉与三区温度控制器; 高温反应室前端设有自动启闭装置；高温反应室前端与气体分配控制阀相连通，气体分配控制阀与气体源及程序控制器相连接，高温反应室的前部设有压力计、高温反应室外为设有三区温度控制器的高温加热炉，高温反应室的后部设有压力传感开关, 高温反应室的后部与排气管道前部相连通,管道中设有排气管道阱，管道后部与阀相连,阀后部管道与机械泵相连，机械泵出口设有油过滤器,在阀与机械泵之间装一个变速马达带动的增压泵，变速马达与压力传感开关相连接,由压力传感开关控制。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
