[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 201320232332.3 | 申请日： | 2013-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN203312300U | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 安藤裕二;大田一树 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 谢丽娜;关兆辉 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体装置。在高电子移动度晶体管中，能够在维持着常关动作的情况下充分降低接通电阻，由此，能够实现包含高电子移动度晶体管的半导体装置的性能提升。在信道层(CH1)和电子供给层(ES1)之间，设置带隙比电子供给层(ES1)的带隙大的隔离层(SP1)。由此，因隔离层(SP1)的带隙较大而在信道层(CH1)和电子供给层(ES1)的界面附近形成高势垒(电子势垒)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包含场效应晶体管，其特征在于，上述场效应晶体管具有：(a)由第1氮化物半导体层构成的信道层；(b)在上述信道层上形成的、由第2氮化物半导体层构成的隔离层；(c)在上述隔离层上形成的、由第3氮化物半导体层构成的电子供给层；(d)在上述电子供给层上形成的源极电极；(e)与上述源极电极分离地在上述电子供给层上形成的漏极电极；(f)在被上述源极电极和上述漏极电极夹着的上述电子供给层上形成的p型覆盖层；以及(g)在上述p型覆盖层上形成的栅极电极，上述隔离层的层厚小于上述电子供给层的层厚。
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