[实用新型]一种复合存储器有效
| 申请号： | 201320244952.9 | 申请日： | 2013-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN203218265U | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 陈国平;熊红斌 | 申请（专利权）人： | 陈国平 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315175 浙江省宁波市鄞*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 如何结合各存储器的优点，集成在一起，形成复合的多态的存储器具有重要的意义。本实用新型提供一种复合存储器，包括衬底、电极、电阻型存储介质、永磁记录材料，其中，电阻型存储介质生长在电极上，永磁记录材料生长在电阻型存储介质上，电极、电阻型存储介质和永磁记录材料构成一个复合存储单元；复合存储单元形成的阵列生长在衬底上。本实用新型将磁存储器与电阻性存储器复合在一起，信息既可以存储在永磁记录材料中，也可以存储在电阻型存储介质中，形成了多态的存储器，在未来高密度的存储领域具有很好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 存储器 | ||
【主权项】：
一种复合存储器，包括衬底、电极、电阻型存储介质、永磁记录材料，其特征在于：所述的电阻型存储介质生长在电极上，永磁记录材料生长在电阻型存储介质上，电极、电阻型存储介质和永磁记录材料构成一个复合存储单元；所述的复合存储单元形成的阵列生长在衬底上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
