[实用新型]一种减少硅通孔电镀铜后表面过电镀的待镀样片

摘要

本实用新型涉及一种减少硅通孔电镀铜后表面过电镀的待镀样片，属于晶圆级电镀铜填孔技术领域。其在晶圆表面依次做完垂直硅通孔刻蚀、绝缘层、铜扩散阻挡层和铜种子层之后，于电镀填充铜工艺之前，在晶圆表面和垂直硅通孔孔口处再做一层表面涂层，所述表面涂层材质为金属Ta、V、Ti、Al、Fe或非金属TiN、TaN、AlN。所述表面涂层在垂直硅通孔孔口处的高度不大于在晶圆表层的绝缘层、铜扩散阻挡层和铜种子层三者厚度之和。本实用新型工艺简单，可有效阻挡表层的铜沉积，减轻CMP负担，降低成本。

主权项

一种减少硅通孔电镀铜后表面过电镀的待镀样片，包括晶圆（5），晶圆（5）表面上刻蚀有一垂直硅通孔（4），在晶圆（5）表面上由内至外依次设置有绝缘层（3）、扩散阻挡层（2）和铜种子层（1）；其特征是：在铜种子层（1）外还设置有表面涂层（6）；所述表面涂层（6）的厚度为4‑200nm。