[实用新型]一种硅基埋栅三电极薄膜太阳能电池有效
申请号: | 201320259045.1 | 申请日: | 2013-05-13 |
公开(公告)号: | CN203232880U | 公开(公告)日: | 2013-10-09 |
发明(设计)人: | 王强;张昱;虞铮栋;姚滢;邓洁 | 申请(专利权)人: | 南通大学 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0224 |
代理公司: | 南京同泽专利事务所(特殊普通合伙) 32245 | 代理人: | 石敏 |
地址: | 226019 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种硅基埋栅三电极薄膜太阳能电池,包括一顶电极、一与衬底连接的底电极、一薄膜中电极、P型硅薄膜和N型硅薄膜,其中所述薄膜中电极被N型硅薄膜所包裹,顶电极覆盖于所述P型薄膜上,所述P型硅薄膜包裹在N型硅薄膜的周围,在P型硅薄膜与N型硅薄膜的结合面上形成闭合环状的PN结,所述底电极与N型硅薄膜连接。本实用新型其在发明201110219044.X中的电池结构基础之上增加一层顶电极,并在将其与底电极进行连接,提高了对电流的收集能力。本实用新型的叠层太阳能电池的制备工艺与现有薄膜电池生产工艺兼容,可利用现有设备进行生产,产品更新换代所需投入的设备成本极低。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅基埋栅三 电极 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种硅基埋栅三电极薄膜太阳能电池,包括一顶电极、一与衬底连接的底电极、一薄膜中电极、P型硅薄膜和N型硅薄膜,其中所述薄膜中电极被N型硅薄膜所包裹,顶电极覆盖于所述P型薄膜上,所述P型硅薄膜包裹在N型硅薄膜的周围,在P型硅薄膜与N型硅薄膜的结合面上形成闭合环状的PN结,所述底电极与N型硅薄膜连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南通大学,未经南通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201320259045.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种用于工业现场通信装置的网络连接器
- 下一篇:一种基于计算机的信息交互系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的