[实用新型]冷却器以及半导体模块有效
| 申请号： | 201320259491.2 | 申请日： | 2013-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN203481212U | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 大泷笃史;大山茂 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实用新型提供一种冷却器以及半导体模块，该冷却器具有使Ni层(3)、Ti层(5)和Al层(6)接合一体化为层压状的层压材料(2)，该Ni层(2)具有用于使被冷却体(16)通过软钎焊而接合的上表面(3a)且由Ni或Ni合金形成，该Ti层(5)配置在Ni层(3)的下表面侧且由Ti或Ti合金形成，该Al层(6)配置在Ti层(5)的下表面侧且由Al或Al合金形成。层压材料(2)的Al层(6)的下表面与冷却器主体(10)的冷却面(10a)经由硬钎焊材料层(12)而接合。 | ||
| 搜索关键词： | 冷却器 以及 半导体 模块 | ||
【主权项】：
一种冷却器，其特征在于，具有使Ni层、Ti层和Al层接合一体化为层压状的层压材料，所述Ni层具有用于使被冷却体通过软钎焊而接合的上表面且由Ni或Ni合金形成，所述Ti层配置在所述Ni层的下表面侧且由Ti或Ti合金形成，所述Al层配置在所述Ti层的下表面侧且由Al或Al合金形成，并且， 所述冷却器使所述层压材料的所述Al层的下表面与冷却器主体的冷却面经由硬钎焊材料层而接合。
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