[实用新型]具有浪涌和静电双重防护的手机有效

专利信息
申请号: 201320261622.0 申请日: 2013-05-15
公开(公告)号: CN203233161U 公开(公告)日: 2013-10-09
发明(设计)人: 黄友华 申请(专利权)人: 成都市宏山科技有限公司
主分类号: H02H9/02 分类号: H02H9/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610000 四川省*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种具有浪涌和静电双重防护的手机,它包括手机的电源接口和内部电路接口,所述的电源接口和内部电路接口之间连接有静电防护电路和防浪涌电路。所述的静电防护电路包括二极管D1、二极管D2和三极管;所述的二极管D1的正极连接在三极管的集电极上,负极连接在VDD上;所述的二极管D2的两端分别连接在VDD和三极管的发射极上;所述的防浪涌电路包括电阻R3、比较器和场效应管;所述的比较器的两个输入端分别连接在电阻R3的两端,输出端连接在场效应管的栅极上。其优点是:电路结构简单,避免静电和浪涌对手机内部的电子元器件造成破坏。
搜索关键词: 具有 浪涌 静电 双重 防护 手机
【主权项】:
具有浪涌和静电双重防护的手机,它包括手机的电源接口(1)和内部电路接口(2),其特征在于:所述的电源接口(1)和内部电路接口(2)之间连接有静电防护电路和防浪涌电路,所述的静电防护电路包括二极管D1、二极管D2和三极管;所述的二极管D1的正极连接在三极管的集电极上,负极连接在VDD上;所述的三极管的基极与发射极相连且同时接地;所述的二极管D2的两端分别连接在VDD和三极管的发射极上;所述的防浪涌电路包括电阻R3、比较器和场效应管;所述的比较器的两个输入端分别连接在电阻R3的两端,输出端连接在场效应管的栅极上;所述的场效应管的漏极连接在电阻R3的一端,电阻R3的另一端连接在二极管D1的正极上,所述的场效应管的源极连接在内部电路接口(2)上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都市宏山科技有限公司,未经成都市宏山科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201320261622.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top