[实用新型]可用于共晶焊的P型硅器件芯片背面金属化结构有效
| 申请号： | 201320272682.2 | 申请日： | 2013-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN203300630U | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 王仁书;徐永平 | 申请（专利权）人： | 扬州晶新微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482 |
| 代理公司： | 扬州苏中专利事务所(普通合伙) 32222 | 代理人： | 许必元 |
| 地址： | 225009 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 可用于共晶焊的P型硅器件芯片背面金属化结构，属于半导体器件技术领域。其特征是，P型硅半导体基材背面设有III族元素原子与金及P型硅半导体材料的多元合金层，在多元合金层上设有金金属层或再在金金属层上设有SnCu或SnSb金属层，所述多元合金层厚度为0.02-0.3微米。金金属层厚度为1-2微米。本实用新型结构合理，提高背面的掺杂浓度,实现了背面高浓度与金属化的有机结合。进一步降低了半导体芯片的压降，实现了可满足共晶工艺的P型硅半导体芯片背面金属化结构。一方面降低了P型硅半导体芯片的压降，另一方面满足了半导体芯片封装共晶焊接工艺的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 共晶焊 器件 芯片 背面 金属化 结构 | ||
【主权项】：
可用于共晶焊的P型硅器件芯片背面金属化结构，其特征是，P型硅半导体基材背面设有III 族元素原子与金及P型硅半导体材料的多元合金层，在多元合金层上设有金金属层或再在金金属层上设有SnCu或SnSb金属层。
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