[实用新型]降低蓝光LED缺陷密度的发光二极管结构有效
| 申请号： | 201320274758.5 | 申请日： | 2013-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN203445143U | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 田宇;郑建钦;曾颀尧;赖志豪;郭廷瑞;黄绣云;黄信智;张志刚;吴东海;童敬文;林政志;李鹏飞 | 申请（专利权）人： | 南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
降低蓝光LED缺陷密度的发光二极管结构，涉及发光二极管外延技术领域。本实用新型从下至上依次包括图形化的蓝宝石衬底、AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、有源区、电子阻挡层和P型GaN层。其结构特点是，所述U型GaN层的生长厚度为1-10um，U型GaN层中间插入一层AlxGa1-xN/SiNx缺陷阻挡层，其中Al的组分为0.01 | ||
| 搜索关键词： | 降低 led 缺陷 密度 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
降低蓝光LED缺陷密度的发光二极管结构，它从下至上依次包括图形化的蓝宝石衬底（1）、AlN缓冲层（2）、U型GaN层（3）、N型GaN层（4）、有源区（5）、电子阻挡层（6）和P型GaN层（7），其特征在于：所述U型GaN层（3）的生长厚度为1‑10um，U型GaN层（3）中间插入一层AlxGa1‑xN/SiNx缺陷阻挡层（10）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司，未经南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201320274758.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
