[实用新型]一种低温漂欠压锁定电路有效
| 申请号： | 201320276964.X | 申请日： | 2013-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN203311295U | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 方建平 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种低温漂欠压锁定电路，包括十个P型MOS管、十一个N型MOS管、二个双极型PNP晶体管、四十个电阻、二个电容、二个反相器和一个与非门。本实用新型通过正负温度系数的抵消，实现低温漂的欠压锁定电路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 漂欠压 锁定 电路 | ||
【主权项】：
一种低温漂欠压锁定电路，包括十个P型MOS管、十一个N型MOS管、二个双极型PNP晶体管、四十个电阻、二个电容、二个反相器和一个与非门，其特征在于，所述第一P型MOS管MP1的漏极，电阻R23的一端与电阻R24的一端连接；电阻R23的另一端，电阻R24的另一端与电阻R25的另一端连接；电阻R25的一端与电阻R26的一端连接；电阻R26的另一端，电阻R27的一端与电阻R33的一端连接；电阻R27的另一端与电阻R28的一端连接；电阻R28的另一端与电阻R29的一端连接；电阻R29的另一端与电阻R30的一端连接；电阻R30的另一端与电阻R31的一端连接；电阻R31的另一端与电阻R32的一端连接；电阻R26的另一端与电阻R33的一端连接；电阻R33的另一端与电阻R34的一端连接；电阻R34的另一端与电阻R35的一端连接；电阻R36的另一端与电阻R37的一端连接；电阻R37的另一端与电阻R38的一端连接；电阻R32的另一端，电阻R39的一端与第一N型MOS管MN1的栅极连接；电阻R39的另一端与双极型PNP晶体管Q1的发射极连接；电阻R38的另一端，双极型PNP晶体管Q2的发射极与第二N型MOS管MN2的栅极连接。
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