[实用新型]氧传感器芯片有效
| 申请号： | 201320282086.2 | 申请日： | 2013-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN203337629U | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 仇国霞 | 申请（专利权）人： | 常州联德电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N33/00 | 分类号： | G01N33/00 |
| 代理公司： | 常州市夏成专利事务所(普通合伙) 32233 | 代理人： | 沈兵 |
| 地址： | 213000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种传感器的技术领域，尤其是一种氧传感器芯片。其包括硅基衬底、绝缘膜一、绝缘膜二、多晶硅膜和敏感槽，硅基衬底表面设有绝缘膜一，底部设有绝缘膜二，绝缘膜一上覆有一层多晶硅膜，多晶硅膜上设有敏感槽。这种氧传感器芯片结构简单、紧凑并且合理，装配方便快捷，连接可靠，便于加工制造，生产制造成本低，精度高，稳定性好，提高了芯片的灵敏度，延长了传感器的使用寿命，大大提高了传感器工作的可靠性，易于使用推广。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 芯片 | ||
【主权项】：
一种氧传感器芯片，包括硅基衬底（1）、绝缘膜一（2）、绝缘膜二（3）、多晶硅膜（4）和敏感槽（5），其特征是，硅基衬底（1）表面设有绝缘膜一（2），底部设有绝缘膜二（3），绝缘膜一（2）上覆有一层多晶硅膜（4），多晶硅膜（4）上设有敏感槽（5）。
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