[实用新型]一种大功率整晶圆平板压接式封装结构有效
| 申请号： | 201320291930.8 | 申请日： | 2013-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN203260568U | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 盛况;汤岑;谢刚;郭清 | 申请（专利权）人： | 苏州英能电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/34;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 张建纲 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州市苏州高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种大功率整晶圆平板压接式封装结构，由上盖和下盖压接而成，上盖和下盖形成的腔内依次压接有阴极电极金属板、绝缘层板、门极电极金属板、IGBT整晶圆和阳极电极金属板，阴极电极金属板上有阴极凸起电极，门极电极金属板上有门极凸起电极。当所述IGBT整晶圆的晶圆单元出现坏片时，将该坏片位置对应的所述门极电极金属板和阴极电极金属板上分别设置的门极凸起电极和阴极凸起电极均被去除，这样就避免了坏片与阴极电极金属板或门极电极金属板连接。该方案中大功率整晶圆平板压接式封装结构有效降低引线电感，增加整个器件的可靠性，提高气密性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 整晶圆 平板 压接式 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种大功率整晶圆平板压接式封装结构，包括压接而成的上盖和下盖，其两端设置有瓷环和密封组件，其特征在于：所述上盖和所述下盖形成的腔内依次压接设置有阴极电极金属板、绝缘层板、门极电极金属板、IGBT整晶圆和阳极电极金属板，所述IGBT整晶圆上分布设有多个晶圆单元，所述晶圆单元包括IGBT晶圆阴极区域和IGBT晶圆门极区域，所述阴极电极金属板上分布有阴极凸起电极，所述门极电极金属板上分布有门极凸起电极以及适于所述阴极凸起电极穿过的阴极通孔，所述绝缘层板上分布有适于所述阴极凸起电极穿过的绝缘层板通孔，压接时，所述阴极凸起电极依次穿过所述绝缘层板和门极电极金属板，且与所述IGBT晶圆阴极区域连接，所述门极凸起电极与所述IGBT晶圆门极区域连接。
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