[实用新型]具有抗PID效应镀膜的晶体硅电池片

摘要

本实用新型涉及一种光伏太阳能电池片结构，具体是一种具有抗PID效应镀膜的晶体硅电池片。该电池片由Si衬底层、沉积在Si衬底层上的折射率较高的下层SiNx薄膜、沉积在下层SiNx薄膜上的折射率较低的上层SiNx薄膜、沉积在上层SiNx薄膜上的SiO2薄膜组成。本实用新型通过在电池片表面沉积SiNx/SiNx/SiO2三层镀膜替代传统结构的SiNx双层膜，可有效消除PID效应，提高晶体硅电池片的转化效率。

主权项

一种具有抗PID效应镀膜的晶体硅电池片，其特征是：它由Si衬底层、沉积在Si衬底层上的下层SiNx薄膜、沉积在下层SiNx薄膜上的上层SiNx薄膜、沉积在上层SiNx薄膜上的SiO2薄膜组成。