[实用新型]具有侧面电极的LED芯片及其封装结构有效
| 申请号： | 201320293409.8 | 申请日： | 2013-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN203367346U | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 王冬雷;庄灿阳 | 申请（专利权）人： | 大连德豪光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 广东秉德律师事务所 44291 | 代理人： | 杨焕军 |
| 地址： | 116100 辽宁省大*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种具有侧面电极的LED芯片及其封装结构，该芯片具有侧面电极的LED芯片，包括衬底、设于该衬底上的N型层、发光层、P型层及与该N型层导电连接的N电极、与该P型层导电连接的P电极，该N电极的一端沿该N型层的侧面延伸至该衬底的一侧面；该P型层、该发光层及该N型层的侧面设有绝缘层，该P电极的一端沿该绝缘层的侧面延伸至该衬底的另一侧面。本实用新型所述的LED芯片，其上、下两个表面均可射出光线，大大提高了LED芯片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 侧面 电极 led 芯片 及其 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种具有侧面电极的LED芯片，包括衬底、设于该衬底上的N型层、发光层、P型层及与该N型层导电连接的N电极、与该P型层导电连接的P电极，其特征在于：该N电极的一端沿该N型层的侧面延伸至该衬底的一侧面；该P型层、该发光层及该N型层的侧面设有绝缘层，该P电极的一端沿该绝缘层的侧面延伸至该衬底的另一侧面。
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