[实用新型]生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱有效
| 申请号： | 201320312662.3 | 申请日： | 2013-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN203339206U | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 李国强;王文樑;杨为家;刘作莲;林云昊 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/06 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510641 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括生长在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的InGaN/GaN量子阱。本实用新型制备的InGaN/GaN多量子阱光致发光峰位是441nm，半峰宽24.3nm，显示出很好的光学性能。与现有技术相比，本实用新型具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的InGaN/GaN多量子阱结晶质量好，光学性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 铝酸锶钽镧 衬底 ingan gan 多量 | ||
【主权项】：
生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱，其特征在于，包括生长在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的InGaN/GaN量子阱。
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