[实用新型]多槽式导轨有效
申请号: | 201320322292.1 | 申请日: | 2013-06-05 |
公开(公告)号: | CN203300659U | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 姜丽萍 | 申请(专利权)人: | 厦门华谱光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309 | 代理人: | 刘辉;廉红果 |
地址: | 361000 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种多槽式导轨,所述导轨的两侧下方对称设有开口朝外的T型安装槽,所述T型安装槽的开口端均设有内折的上挡沿和下挡沿,所述导轨的顶端两侧分别延伸出往下弯折的挡壁,所述上挡沿至所述导轨顶端之间的导轨侧壁为外侧壁,所述下挡沿、所述挡壁与所述外侧壁之间形成滑轨式连接槽。本实用新型采用了T型安装槽与滑轨式连接槽相结合的双重槽结构,使两侧同时具有连接和固定的两种功能,避免了现有导轨在安装功能与连接功能之间的干涉情况,也保证了安装的方便。 | ||
搜索关键词: | 多槽式 导轨 | ||
【主权项】:
多槽式导轨,导轨的顶部设有开口朝上的卡块配合式安装槽,其特征在于:所述导轨的两侧下方对称设有开口朝外的T型安装槽,所述T型安装槽的开口端均设有内折的上挡沿和下挡沿,所述导轨的顶端两侧分别延伸出往下弯折的挡壁,所述上挡沿至所述导轨顶端之间的导轨侧壁为外侧壁,所述下挡沿、所述挡壁与所述外侧壁之间形成滑轨式连接槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的