[实用新型]半导体器件

摘要

本实用新型公开了一种半导体器件。所述器件具有分离沟槽栅结构。该分离沟槽栅结构包括一个屏蔽电极和两个栅电极，其中屏蔽电极的大部分位于栅电极之下，屏蔽电极的剩余部分位于两个栅电极之间，延伸到器件的顶面。该器件进一步包括源金属层，在器件顶面与初始层，阱区，源区和屏蔽电极接触，其中源金属层与初始层的接触形成了集成的肖特基二极管。

主权项

一种半导体器件，具有顶面和底面，其特征在于，所述半导体器件包含： 半导体初始层，所述半导体初始层具有第一导电类型； 阱区，形成于所述半导体初始层的一部分之上，所述阱区具有第二导电类型，所述阱区包含至少两个阱区部分，所述半导体初始层的一部分位于所述两个阱区部分之间并延伸到所述器件顶面； 分离沟槽栅结构，包含一个屏蔽电极和两个栅电极，其中所述屏蔽电极的大部分位于两个栅电极的下方，所述屏蔽电极的剩余部分位于两个栅电极之间并延伸到所述器件顶面； 源区，形成于阱区之内，所述源区紧靠所述分离沟槽栅结构，所述源区具有第一导电类型；和 源金属层，在所述器件顶面与所述初始层、所述阱区、所述屏蔽电极和所述源区接触，其中所述源金属层与所述初始层在所述器件顶面接触形成一肖特基二极管。