[实用新型]基座系统以及化学机械研磨装置有效
申请号: | 201320335718.7 | 申请日: | 2013-06-09 |
公开(公告)号: | CN203325851U | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 叶维坚 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;B24B37/34 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型揭示了一种基座系统,包括基座内腔、水路、气路、水阀以及气阀,其特征在于,所述水路以及气路分别单独连接所述基座内腔,所述水阀设置于所述水路上,所述气阀设置于所述气路上。本实用新型还揭示了一种化学机械研磨装置,包括研磨头以及所述的基座系统。本实用新型中的所述基座系统将所述水路和气路分开进行控制,降低结构的复杂度,方便对所述水路和气路进行控制。 | ||
搜索关键词: | 基座 系统 以及 化学 机械 研磨 装置 | ||
【主权项】:
一种基座系统,包括基座内腔、水路、气路、水阀以及气阀,其特征在于,所述水路以及气路分别单独连接所述基座内腔,所述水阀设置于所述水路上,所述气阀设置于所述气路上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造