[实用新型]真空交换腔室有效
| 申请号： | 201320336038.7 | 申请日： | 2013-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN203351567U | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 何*;杨小军 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种真空交换腔室，包括：腔体；抽气装置，连接于所述腔体，可抽出该腔体内的气体至真空状态；供气装置，连接于所述腔体；以及通气装置，位于所述腔体内，与所述供气装置相连接。所述通气装置上设置有若干均匀分布的通气孔，可以使气体均匀的通入腔体中，增加气体的流量不会对承载装置上的晶圆造成影响，气体流量的增加降低了真空交换腔室的通气时间，减小单片晶圆的生产时间，从而提高机台每小时能够处理的晶圆数量，最终达到提高机台生产速率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 交换 | ||
【主权项】：
一种真空交换腔室，其特征在于，包括： 腔体； 抽气装置，连接于所述腔体； 供气装置，连接于所述腔体； 以及通气装置，位于所述腔体内，与所述供气装置相连接，所述通气装置上设置有若干均匀分布的通气孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
