[实用新型]一种双C结构的NFC天线有效
申请号: | 201320337371.X | 申请日: | 2013-06-13 |
公开(公告)号: | CN203553340U | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 何其娟;孙劲 | 申请(专利权)人: | 上海安费诺永亿通讯电子有限公司 |
主分类号: | H01Q1/38 | 分类号: | H01Q1/38;H01Q7/04 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
地址: | 201108 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种双C结构的NFC天线,该双C结构的NFC天线包括支撑屏蔽部分、NFC线圈以及双C结构;所述NFC线圈位于所述支撑屏蔽部分上,并与所述支撑屏蔽部分相连接,所述支撑屏蔽部分包括支撑介质和磁性材料,且该支撑介质位于磁性材料和所述NFC线圈之间;所述双C结构位于所述NFC线圈的正上方,并与所述支撑屏蔽部分和所述NFC线圈平行放置,且该NFC线圈与双C结构之间的垂直距离为0.5mm-2mm,且双C结构的面积均大于所述NFC线圈和所述支撑屏蔽部分的面积,从而能够充分耦合NFC线圈产生的近场,降低电流路径损耗,并提高NFC天线的通讯距离。 | ||
搜索关键词: | 一种 结构 nfc 天线 | ||
【主权项】:
一种双C结构的NFC天线,其特征在于,包括支撑屏蔽部分、NFC线圈以及双C结构;所述NFC线圈放置于所述支撑屏蔽部分上,并与所述支撑屏蔽部分连接,所述双C结构位于所述NFC线圈的正上方,并与所述支撑屏蔽部分和所述NFC线圈平行放置,且所述双C结构与所述NFC线圈之间设置有一定距离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海安费诺永亿通讯电子有限公司,未经上海安费诺永亿通讯电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201320337371.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:炉尾保护装置
- 下一篇:一种在金属表面上涂覆油漆的方法