[实用新型]一种双C结构的NFC天线有效

专利信息
申请号: 201320337371.X 申请日: 2013-06-13
公开(公告)号: CN203553340U 公开(公告)日: 2014-04-16
发明(设计)人: 何其娟;孙劲 申请(专利权)人: 上海安费诺永亿通讯电子有限公司
主分类号: H01Q1/38 分类号: H01Q1/38;H01Q7/04
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 胡晶
地址: 201108 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型公开了一种双C结构的NFC天线,该双C结构的NFC天线包括支撑屏蔽部分、NFC线圈以及双C结构;所述NFC线圈位于所述支撑屏蔽部分上,并与所述支撑屏蔽部分相连接,所述支撑屏蔽部分包括支撑介质和磁性材料,且该支撑介质位于磁性材料和所述NFC线圈之间;所述双C结构位于所述NFC线圈的正上方,并与所述支撑屏蔽部分和所述NFC线圈平行放置,且该NFC线圈与双C结构之间的垂直距离为0.5mm-2mm,且双C结构的面积均大于所述NFC线圈和所述支撑屏蔽部分的面积,从而能够充分耦合NFC线圈产生的近场,降低电流路径损耗,并提高NFC天线的通讯距离。
搜索关键词: 一种 结构 nfc 天线
【主权项】:
一种双C结构的NFC天线,其特征在于,包括支撑屏蔽部分、NFC线圈以及双C结构;所述NFC线圈放置于所述支撑屏蔽部分上,并与所述支撑屏蔽部分连接,所述双C结构位于所述NFC线圈的正上方,并与所述支撑屏蔽部分和所述NFC线圈平行放置,且所述双C结构与所述NFC线圈之间设置有一定距离。 
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