[实用新型]一种端口负载保护开关的负压过压保护电路有效

专利信息
申请号: 201320338537.X 申请日: 2013-06-13
公开(公告)号: CN203312782U 公开(公告)日: 2013-11-27
发明(设计)人: 鞠建宏;靳瑞英 申请(专利权)人: 帝奥微电子有限公司
主分类号: H02H9/00 分类号: H02H9/00
代理公司: 上海宏威知识产权代理有限公司 31250 代理人: 金利琴
地址: 200050 上海市长宁区*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型公开一种端口负载保护开关的负压过压保护电路,包括:P型场效应管;第三N型场效应管;第二N型场效应管,其包括栅极、第三N+区和第四N+区,其栅极与P型场效应管的漏极相连,其第三N+区和第四N+区对应分别形成源极或漏极;开关NMOS管,其包括栅极、第一N+区和第二N+区,其栅极与所述第四N+区相连,且其栅极通过一反相器与所述控制信号相连,其第一N+区和第二N+区对应分别形成源极或漏极,第一N+区与第三N+区以及信号输入端相连,第二N+区与信号输出端相连;判断电路,其控制所述开关NMOS管的衬底、第二N型场效应管的衬底及第三N型场效应管的衬底连接到最高电位、控制所述P型场效应管的衬底连接到最低电位。
搜索关键词: 一种 端口 负载 保护 开关 电路
【主权项】:
一种端口负载保护开关的负压过压保护电路,其特征在于包括:P型场效应管,其源极与信号输入端连接;第三N型场效应管,其栅极与P型场效应管的栅极相连且与控制信号相连,其漏极与P型场效应管的漏极相连,其源极接地;第二N型场效应管,其包括栅极、第三N+区和第四N+区,其栅极与P型场效应管的漏极相连,其第三N+区和第四N+区对应分别形成源极或漏极;开关NMOS管,其包括栅极、第一N+区和第二N+区,其栅极与所述第四N+区相连,且其栅极通过一反相器与所述控制信号相连,其第一N+区和第二N+区对应分别形成源极或漏极,第一N+区与第三N+区以及信号输入端相连,第二N+区与信号输出端相连;判断电路,其与所述开关NMOS管的衬底、第二N型场效应管的衬底及第三N型场效应管的衬底和P型场效应管的衬底连接且控制所述开关NMOS管的衬底、第二N型场效应管的衬底及第三N型场效应管的衬底连接到最高电位、控制所述P型场效应管的衬底连接到最低电位。
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