[实用新型]平衡热场分布的超大功率光电器件有效
申请号: | 201320343584.3 | 申请日: | 2013-06-17 |
公开(公告)号: | CN203521414U | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 王玮;蔡勇;张宝顺 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/20;H01L33/64 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王锋 |
地址: | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种平衡热场分布的超大功率光电器件,包括光电器件芯片,该芯片的外延层包括彼此隔离的若干单胞,该等单胞相互串联或并联,其中至少两个单胞相互并联形成至少一个单胞组,并且该至少一个单胞组还与该等单胞中其余的一个以上单胞和/或一个以上单胞组串联,其中每一单胞组内的所有单胞均排布在一个长宽比接近1的矩形区域内,而且各单胞的间距沿芯片周缘部向中心递增。本实用新型通过前述设计,可使相邻单胞节温保持一致,避免节温较高的单胞成为热斑和热崩,有效提升大功率光电器件的工作性能,并延长其使用寿命,同时还可使芯片中央区域有源区面积相对减少,产生热量减少,且使单胞间热的相互影响减少,从而达成芯片中央与四周热场的平衡分布。 | ||
搜索关键词: | 平衡 分布 超大 功率 光电 器件 | ||
【主权项】:
一种平衡热场分布的超大功率光电器件,包括光电器件芯片,所述芯片的外延层包括彼此隔离的复数个单胞,该复数个单胞相互串联或并联,其特征在于,该复数个单胞中的至少两个单胞相互并联形成至少一个单胞组,并且该至少一个单胞组还与该复数个单胞中其余的一个以上单胞和/或一个以上单胞组串联,其中,每一单胞组内的所有单胞均排布在一个矩形区域内,所述矩形区域的相对较短边与相对较长边的比值大于0.5,但小于或等于1,而且,沿从芯片边缘部指向芯片中心的方向,相邻单胞之间的间距递增。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的